技术编号:8273684
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及IGBT装配,具体地,涉及一种自动装配系统。背景技术绝缘栅双极晶体管(InsulatedGate Bipolar Transistor,IGBT)具有通态压降低、电流容量大、输入阻抗高、响应速度快和控制简单的特点,被广泛用于工业、信息、新能源、医学、交通、军事和航空领域。压接式IGBT可以双面散热,具有优良的散热效果和高可靠性,并且在器件损坏时表现出短路失效模式,因此其被广泛应用在智能电网等领域。IGBT模块在封装时,需要组装一个外壳用于对芯片等...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。