技术编号:8281391
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。直照补偿型脉冲中子探测器是一种对电荷灵敏的半导体探测器,它直接接收反冲质子,反冲质子在硅PIN探测器中沉积能量,形成电流输出。由于硅PIN探测器对中子和伽马等辐射都很敏感,而且在脉冲混合场中无法将中子伽玛分开,另外在脉冲辐射情况下的散射本底也很严重,导致探测器的伽玛甄别能力下降。为了在强伽马辐射环境中测量中子信号,就必须扣除伽马和散射本底的干扰。通过补偿电路扣除前后探测器的直照中子和伽玛信号,探测系统输出的中子信号全部由夹在两片探测器之间的聚乙烯靶来提供,...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。