技术编号:8283888
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。随着器件尺寸的不断缩小,单位面积芯片上的器件数目越来越多,如何降低功耗成为日益突出的问题。常规的隧穿场效应晶体管(convent1nal-TFET )的结构主要包括衬底(沟道)、栅介质层、栅极以及栅极两侧的源/漏区,它主要基于量子隧穿效应工作的,以P型隧穿场效应晶体管为例,在栅极上施加负电压,沟道区的电势升高,源区到沟道区发生量子隧穿,隧穿产生的电子和空穴从源区和漏区流出。对于常规的隧穿场效应晶体管,其亚阈值摆幅(SS)可以小于60meV/deC,为降低功...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。