技术编号:8283897
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件及其制造方法,尤其是一种能实现电流双向流通的功率MOSFET器件及其制造方法,属于功率半导体器件的。背景技术垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)是一种公知的半导体功率MOSFET器件,因其易驱动、低损耗等优点被广泛地应用于各类电子电路当中。VDMOS是一个电压驱动型的三端器件,包括栅极、源极和漏极,器件导通工作时,栅极施加一个驱动电压,在器件的源漏之间形成沟道,同时漏极施加一个相对于源极的电压Vds使得载流子在源极与漏极直接流动...
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