技术编号:8284136
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在现有晶体硅太阳能电池的制备中,制造者对所制备的电池是否具有抗PID性能非常注重,因为光伏组件产生电位诱发衰减效应会对光伏组件的使用产生较大的影响。现有抗PID的制备方法中有一种UV法,即通过紫外线产生臭氧,然后通过臭氧对硅片表面进行氧化而产生一层二氧化硅膜,该膜和电池片上的氮化硅膜一起共同作为减反射层抗PID。UV法在使用中存在的不足是1、生产效率低,这在于,它对硅片的氧化处理需耗时30分钟以上,而且还需通过其它辅助手段(如加热等)来强化氧化效果才能完成...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。