技术编号:8284144
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。根据低温堆积缓冲层技术、P型传导性控制、η型传导性控制、高效率发光层的制作方法等基础技术的叠加,高亮度的蓝色、绿色、白色等发光二极管已被实用化。目前,发光二极管中,半导体的折射率比基板、空气等的折射率大,从发光层发出的光的大部分通过全反射或菲涅耳反射不能被取出到发光二极管的外部,因此,光取出效率的提高成为课题。为解决该课题,提案有对半导体表面实施数微米周期的凹凸加工的构造(例如参照非专利文献I)。如果在半导体表面的光取出侧设置凹凸构造,则全反射因光散射的效...
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