技术编号:8288035
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 本申请总体涉及半导体器件和工艺领域,并且更具体地涉及具有超低源极-漏极 导通电阻的场效应晶体管的结构和制备方法。背景技术 流行的功率转换装置系列是DC-DC电源电路,尤其是切换模式电源电路类目。特 别适于出现功率输送需要的是同步降压转换器或电源模块,其带有串联连接且通过公共开 关节点耦合在一起的两个功率MOS场效应晶体管(FET)。在电源模块中,控制FET芯片(也 被称为高侧开关)被连接在电源电压Vin和LC输出滤波器之间,并且同步FET芯片(也被 称为...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。