技术编号:8300377
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。沟槽栅功率器件的多晶硅栅由填充于栅沟槽中的多晶硅组成,多晶硅栅侧面覆盖形成于硅外延层的阱区,在阱区顶部形成源区,被多晶硅栅侧面覆盖的阱区表面用于形成连接源区和阱区底部的硅外延层的沟道,阱区底部的硅外延层作为漏区漂移区;一个沟槽栅功率器件一般包括多个并联的单元结构,每一个单元结构包括一个栅沟槽。由正面金属层组成的源极通过相同接触孔同时接触源区和阱区,而由正面金属层组成的栅极则通过接触孔接触位于单元结构外部的栅沟槽中的多晶硅栅,单元结构外部的栅沟槽中的多晶硅栅...
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