技术编号:8300853
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在大功率电力电子开关装置的研制过程中,常常需要用到半控器件,如可控硅整流器(SCR),或全控器件,如电力场效应晶体管(MOSFET)、绝缘栅极双极型晶体管(IGBT)等。在短路、过流或过压发生时,这些器件通常在数十微秒至数毫秒内损坏,熔断器甚至快速熔断器也无法在这么短暂的时间内完成动作,从而导致炸机事故。在研制过程中,很容易出现因各种失误而炸机的情况,炸机事故的发生不但会导致这些功率器件的损坏,还常常损坏电路板,造成的进线开关跳闸则会引起数据的丢失,影响他...
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