技术编号:8301226
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明主要涉及到大规模集成电路设计领域,特指一种高速低功耗多阈值D型触发器。背景技术随着工艺技术的不断提高,目前超大规模集成电路设计已进入深亚微米阶段。特征尺寸的降低,必然会带来MOS器件的阈值电压的降低,使得电路的漏电流随着特征尺寸的降低而呈指数形式上升,直接造成了电路漏电流功耗迅速增加。由漏电流带来的静态功耗已经不能被忽视。工作在GHz范围内的系统,其功耗达到了几十W,甚至是几百w以上。过大的功耗带来了一系列的问题,已成为超大规模集成电路发展的一个重要...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。