技术编号:8302379
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。为了实现我国超大规模集成电路的跨越式发展,国家将2020年实现45nm?22nm刻线作为我国微电子产业的中长期发展规划,并由此制定了国家科技重大专项02专项。过去的几十年,微电子产业迅速发展,集成电路最小特征尺寸决定了一个晶片上所能集成的晶体管数量,也决定了集成电路运行速度和存储容量。光刻技术作为集成电路的技术基础,是决定集成电路发展速度的一个重要因素。光刻机分辨率的物理极限R决定了集成电路的最小特征尺寸,光刻机分辨率的物理极限R决定了集成电路的最小特征尺...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。