技术编号:8303555
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及具有基板加热装置的处理腔室,更详细地说涉及在进行工序时加热基板的基板加热装置及适用这种基板加热装置的处理腔室。背景技术随着半导体元件的规模逐渐缩小,对超薄膜的需求正在不断增加,并且连接孔的大小缩小的同时对台阶覆盖(step coverage)的问题也越来越严重。一般地说,在半导体装置的制造工序中为了均匀地沉积薄膜,适用溅射法(sputtering)、化学气相沉积法(chemical vapor deposit1n, CVD)、原子层沉积法(ato...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。