技术编号：8303556
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。近年来，作为CCD (Charge Coupled Device 电荷親合器件)或 CIS (Contact ImageSensor，接触式影像传感器)等摄像组件用基板，会使用在硅晶片上气相成长硅膜的硅磊晶晶片。这种摄像组件用的磊晶晶片中，重要的是降低晶片中重金属的杂质水平。因为，若晶片内存在重金属杂质，则会产生称为白瑕疵(白点)的不良状况。—般而g，在尚温下使嘉晶I旲气相成长以制造嘉晶晶片。因此，当形成嘉晶I旲时，若气相成长装置的腔室内存在金属杂质，则所...
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