差别氧化硅蚀刻的制作方法技术资料下载

技术编号:8303564

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透过在基板表面上生产错综复杂图案化的材料层的工艺,可制作集成电路。在基 板上生产图案化材料需要受控的方法W移除暴露的材料。化学蚀刻用于各种目的,包括将 光阻中的图案转移进入下面的层中、薄化层或薄化已经存在于表面上的特征结构的侧向尺 寸。通常,期望具有蚀刻一种材料比另一种快的蚀刻工艺,W助于例如图案转移工艺进行。 此类蚀刻工艺可说是对第一材料有选择性。材料、电路与工艺多样化的结果是,蚀刻工艺已 被开发成具有对多种材料的选择性。 湿式HF蚀刻优先移除氧化娃甚...
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