技术编号：8319097
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。专利说明本发明涉及存储领域，具体涉及。背景技术使用NAND Flash的固态存储系统逐渐成为一种新的广受欢迎的存储系统(SolidState Disk，SSD)。随着闪存技术的发展，MLC(Mult1-Level Cell)的单 page 容量从 4KB逐渐发展到8KB，16KB，32KB，随着TLC技术的成熟，单page容量会达到64KB，128KB甚至更高。然而Flash的使用寿命是有限的(25nm MLC擦写次数在3000次左右)。零拷贝(zero-...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
请注意，此类技术没有源代码，用于学习研究技术思路。