技术编号:8320331
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在执行读写操作时,存储器元件(例如为动态随机存取存储器)会被半位元线高电平电压(常为系统供应电压VCC的一半)所驱动。半位元线高电平电压通常可由推挽式电压产生器所产生。在推挽式电压产生器中的一些环境退化因素所引起的元件不匹配现象与偏移(offset)电压可能会引起横流电流(cross current)。此横流电流会导致存储器装置的待机电流(standby current)增加,进而产生更多功率消耗。因此,如何能降低存储器装置的横流电流,实属当前重要研发课题...
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