技术编号:8320343
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。特定非易失性存储器装置和系统中被编程的非易失性存储器单元的阈电压往往随时间而变化。这种不利结果有许多原因与环境因素、操作因素和用于制造非易失性存储器单元的材料的基本特性有关。被编程的非易失性存储器单元的阈电压明显地随时间变化是不可接受的,这是因为所得“改变的”阈电压会被错误地解读,从而导致读数据错误。发明内容在一个实施例中,本发明构思提供了一种,该方法包括步骤通过关于非易失性存储器单元执行第一编程循环使非易失性存储器单元的阈电压正向漂移;然后,使非易失性存...
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