技术编号:8320345
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在半导体存储装置中,闪存(flash memory)是一种非易失性(non-volatile)存储器,且属于可擦除可编程只读存储器(erasable programmable read-on I ymemory,EPROM)。一般而言,闪存具有两个栅极(一浮置栅极与一控制栅极),其中浮置栅极用以存储电荷,控制栅极则用以控制数据的输入与输出。浮置栅极的位置在控制栅极之下,由于与外部电路并没有连接,是处于浮置状态。闪存的优点是其可针对整个存储器区块进行擦除,且...
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