技术编号:8320612
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。对于某器件,尤其对于垂直双扩散金属-氧化物半导体(VerticalDouble-diffused Metal Oxide Semiconductor,简称 VDMOS)器件来说,其正向导通压降的大小通常与硅基片背面的半导体和背面金属的接触电阻的大小有关。进一步的,当半导体表面的粗糙度过低时,会降低半导体和背面金属的粘附性,导致两者之间的接触电阻较大,进而导致器件的正向导通压降偏大。在现有的中,在硅基片背面的表面内形成器件的背面结构和位于所述背面结构表面上的...
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