技术编号:8320744
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在半导体器件中,在将足够的电压或偏压施加给器件的栅极时,电流流过介于源极区域和漏极区域之间的沟道区域。当电流流过沟道区域时,器件通常被视为处于“导通”状态,并且当电流未流过沟道区域时,器件通常被视为处于“截止”状态。发明内容为解决上述问题,本发明提供了一种半导体器件,包括离子感测器件,包括有源区域,包括源极、漏极以及位于源极和漏极之间的沟道;离子感测膜,位于沟道上方;和离子感测区域,位于离子感测膜上方;以及加热元件,接近离子感测器件。该半导体器件包括热传感...
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