技术编号:8320748
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。至少部分包含例如快速恢复二极管(Fast Recovery D1de,简称为FRD)、金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,简称为M0SFET)和绝缘栅极双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,简称为IGBT)等二极管结构的电力半导体装置在电力供应电路中用作开关。为了实现快速开关且减小开关损耗,需要电力半导体装置具有较短反向恢...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。