技术编号:8320749
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。至今,用在功率电子应用中的晶体管已经被典型地用硅(Si)半导体材料制造。用于功率应用的常见的晶体管器件包含Si CooIMOS, Si功率M0SFET、以及Si绝缘栅双极晶体管(IGBT)。最近,碳化硅(SiC)功率器件已经被考虑。II1-N族半导体器件(诸如氮化镓(GaN)器件)现在正显现作为有吸引力的候选以承载大电流、支持大电压并且提供非常低的开启电阻和快速开关时间。发明内容提供包含复合半导体主体的半导体器件,所述半导体主体包含高电压耗尽模式晶体管和低...
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