技术编号:8320750
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本专利文件中描述的技术总体涉及半导体器件,更具体地,涉及具有多个半导体器件层的半导体结构。背景技术集成电路(“1C”)可以包括一种或多种类型的半导体器件,诸如η沟道MOSFET ( “NM0S”)器件、P沟道MOSFET ( “PM0S”)器件、双极结型晶体管(“BJT”)器件、二极管器件和电容器器件等。对半导体设计者而言,不同类型的器件能够呈现不同的设计依据。IC也可以包括具有不同电路功能的电路,诸如具有模拟功能、逻辑功能和存储功能的ICo发明内容根据本...
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