技术编号:8320754
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于铁电存储,具体涉及非破坏性读出铁电存储器,尤其涉及一种基于具有间隙的电极进行非破坏性读出操作的铁电存储器以及该铁电存储器的制备方法和操作方法。背景技术铁电随机存储器FRAM (Ferroelectric Random Access Memory)是利用铁电畴(或称为“电畴”)在电场中两种不同极化取向作为逻辑信息(“O”或“I”)来存储数据的非易失性存储器(Non-volatile Memory),其也可以称为“铁电存储器”。铁电存储器的存储介质层...
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