技术编号：8320808
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 射频LDM0S化DM0S laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)器件是半 导体集成电路技术与微波电子技术融合而成的新一代集成化的固体微波功率半导体产品， 具有线性度好、增益高、耐压高、输出功率大、热稳定性好、效率高、宽带匹配性能好、易于和 M0S工艺集成等优点，并且其价格远低于神化嫁器件，是一种非常具有竞争力的功率器件， 被广泛用于GSM、PCS、W-CDMA基站的功率放大器，W及无线广播与核磁共振等方...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
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