技术编号：8320819
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。随着半导体技术的不断发展，半导体器件的尺寸不断缩小，驱动电流等性能不断提升，功耗不断降低，同时也面临越来越严重的短沟效应，越来越复杂的半导体制造工艺以及较高的生产成本。抑制短沟效应的一种有效方法就是增强栅控能力，双栅、三栅、圆柱环栅等栅结构被不断提出，相比传统的单栅结构器件，多栅结构器件能够在多个方向控制沟道，栅控能力显著增强，所以能够有效的提升器件的短沟性能。当器件沟道长度进入深纳米尺度以后，传统反型沟道器件的源漏突变PN结的掺杂浓度需要在几纳米之内变化...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。