技术编号:8320886
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体发光领域,涉及一种。背景技术发光二极管(LED,Light Emitting D1de)由于具有寿命长、耗能低等优点,已被广泛应用于各个领域,尤其随着其照明性能指标日益大幅提高,LED在照明领域常用作发光装置。其中,以氮化镓(GaN)为代表的II1-V族化合物半导体,尤其是GaN(氮化镓)基LED由于具有带隙宽、发光效率高、电子饱和漂移速度高、化学性质稳定等特点,在高亮度蓝光发光二极管、蓝光激光器等光电子器件领域有着巨大的应用潜力,引起了人...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。