技术编号:8338351
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,具有高频率、高电压、大电流的特点,尤其具有开通和关断驱动电路的特点,且结构简单,是国际上公认的电力电子技术第三次革命的最具代表性的产品,至今已经发展到第六代,商业化已发展到第五代。目前,IGBT已广泛应用于国民经济的各行业中。由于IGBT模块的开关特性可以反应出模块工作的动态过程性能,是大功率IGBT模块电特性的重要保证。由此,在IGBT模块的开关特性测试...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。