技术编号：8338353
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 本发明属于电工材料检测，涉及一种非均匀半导体材料或具有壳心结构 的半导体器件物理尺寸的无损检测方法，具体涉及一种用于ZnO单晶物理参数的无损检测 方法。背景技术 目前流行的各种几何尺寸测量方法都难以测量非均匀材料体系的微观尺寸，无法 同时实现物理尺寸与物理参数的同时测量。扫描电子显微镜（简称SEM)是显微结构几何 参数测量的主要方法，但无法实现物理非均匀区与本体的鉴别，如难以从半导体母体中分 辨出肖特基势皇区，因此难以测量肖特基的厚度。 在半导体材料与器...
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