技术编号：8338717
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及远紫外光刻工艺和掩模。交叉参考本专利申请与2013年9月6日提交的名称为“远紫外光刻工艺和掩模”的美国第14/020, 302号相关，其全部内容通过引用结合于此。背景技术半导体集成电路(IC)产业在过去的几十年里已经经历了快速增长。半导体材料和设计中的技术进步已经产生越来越小并且更复杂的电路。由于与加工和制造相关的技术也已经经历技术进步，这些材料和设计进步已经成为可能。随着器件部件尺寸(诸如栅极长度)降低，带来了许多挑战。高分辨率光刻工艺通常是降...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。