具有减小的间距和线间隔的集成电路及其形成方法技术资料下载

技术编号:8341126

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本发明涉及半导体制造领域,具体而言,涉及。背景技术双重图案化是一种为了光刻以增加部件密度而发展的技术。通常,为了在晶圆上形成集成电路的部件而使用光刻技术,该光刻技术包括应用光刻胶,并在光刻胶上限定部件。首先在光刻掩模中限定图案化的光刻胶中的部件,并且通过光刻掩模中的透明部分或不透明部分实施。然后将图案化的光刻胶中的部件转印至制造的部件。随着集成电路的持续的按比例缩小,光学邻近效应将带来越来越大的问题。当两个分隔开的部件彼此太接近时,光学邻近效应可能引起部件...
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