技术编号:8341132
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。随着半导体器件特征尺寸的不断减小,晶体管需要具有更大电容的栅极介电层来抑制短沟道效应,通过减小栅极介电层的厚度可以做到这一点。但是,栅极介电层的厚度的降低导致栅极漏电流的增加。当栅极介电层的材料为二氧化硅或者氮氧化物且其厚度小于3.0nm时,栅极漏电流大到不可接受。针对上述问题,现有的解决方案是用具有更高介电常数的材料(以下简称为高k材料)代替二氧化硅或者氮氧化物作为栅极介电层的材料,相比传统的栅极介电层的材料,高k材料在具有更大厚度的情况下可以降低栅极漏...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。