技术编号:8341258
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在RFLDMOS工艺中,为了获得共衬底(SUB)的不同电容密度的MOS电容结构,需要先长一层较厚的氧化硅,通过光刻和刻蚀,将电容密度大的区域定义出来,再淀积一层薄的氧化硅后形成。如图1所示,是现有RFLDMOS工艺中不同电容密度的MOS电容集成结构示意图;图1中显示了两个MOS电容,分别代表大电容密度和小电容密度的MOS电容,两个MOS电容采用相同的N型重掺杂的硅衬底101,小电容密度的MOS电容的电容介质层由较厚的氧化硅层103组成,氧化硅层103越厚,...
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