技术编号：8341267
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 现有的背照式图像传感器选用单晶硅片或者基片为重掺杂的外延片进行 CIS(CMOSImageSensor，CMOS图像传感器）芯片制造，背面处理通常包括背面薄化，表面注 入，掺杂激活，表面钝化，金属遮光边墙等复杂而难点多的工艺。由于缺少材料分明的薄化 刻蚀终止层，其器件厚度的控制难度较大，化学机械研磨CMP或刻蚀存在面内均匀性问题， 对感光器件也会有直接损伤。这些问题直接影响感光器件的量子效率。光电二级管通常通 过背侧表面进行接地，像素单位之间通过体硅相互...
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