技术编号：8341312
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。由于现代通信对高频带下高性能、低噪声和低成本的RF组件的需求，传统的NPN器件无法满足性能规格、输出功率和线性度新的要求，因此需要对传统NPN结构进行改进。国际上目前已经广泛采用硅基作为高频大功率功放器件应用于无线通讯产品，如城市有线电视放大和数字电视高频头等。硅基技术和CMOS工艺有良好的兼容性，为功放与逻辑控制电路的集成提供极大的便利，也降低了工艺成本。因此如何在硅基上开发出满足应用要求的高频器件越来越成为BJT器件的研究热点。发明内容本发明所要解决的...
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