技术编号:8341327
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。BCD700V平台上的40V隔离型NLDMOS结构中的DNW (N型深阱)和NW (N阱)由于与其他器件共用,掺杂浓度不可改变。隔离型NLDMOS的DNW作用是将体区与衬底隔离,使漂移区掺杂浓度变浓,从而使器件的关断电压(off-BV)下降。如图1所示,现有隔离型NLDMOS结构通过拉大N阱(NW)与P阱(PW)的距离提高关断电压(off-BV),但从实际流片数据能够得出这种器件的开启电压(on-BV)比较低。造成开启电压比较低的原因是增加N阱(NW)与P...
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