技术编号:8341332
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。专利说明 本专利申请是国际申请日为2006年9月5日、申请号为200680033996.X、发明名 称为"包括含铟和锌的氧化物半导体材料的沟道的场效应晶体管"的发明专利申请的分案 申请,其在此全部引入作为参考。 本发明涉及一种使用氧化物半导体的场效应晶体管。另外,本发明涉及一种使用 有机电致发光器件、无机电致发光器件或液晶器件并利用所述晶体管的显示设备。背景技术 在 "Nature",Vol. 432, 25,November2004 (pp. 488-4...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。