技术编号：8341401
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 本发明属于材料制备领域。背景技术 氮化镓、碳化硅等材料为代表的宽禁带半导体作为一种物理特性丰富的新兴材 料，其许多电学光学性质均远远超过了前一代半导体材料。宽禁带半导体在现阶段的生产 生活中扮演了越来越重要的位置，特别是氮化镓材料在人类照明产业中的地位举足轻重， 在新一代照明用LED器件中有很广泛的应用。GaN材料的禁带宽度是直接带隙型的，在室温下其禁带宽度为3. 39eV，属于宽禁 带半导体范畴，在载流子复合时普遍具有较高的量子效率。GaN材料是直接带...
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