技术编号:8341406
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。未来固体照明应用的普及取决于高光效GaN基LED制备技术的发展,制约GaN基正装LED性能提升的基本障碍之一是其构成材料的高折射率(相对于外部介质)。由于GaN基材料(η = 2.3)和空气介质(η = I)折射率之间的显著差异,造成GaN基正装LED的光逃逸锥角偏小,大部分光难以从器件内部出射而损耗,限制了器件的光抽取效率。所以一直以来,大量的研宄工作都致力于如何提高器件的光抽取效率,例如ITO表面粗化、渐变折射率层、图形化蓝宝石衬底、热酸侧壁腐蚀、全向...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。