技术编号：8344717
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 本发明设及利用直接键合（也被称为分子键合）将第一晶圆（载体衬底或晶圆） 与至少一个第二晶圆（或衬底）接合而形成的多层结构的制造。该种异质结构尤其用于微 电子或光电子。 本发明更特别地设及在制造多层结构（例如，SOS(藍宝石（Al2〇3)上娃）或 GaNOS(藍宝石上GaN)结构）的背景下直接键合半导体晶圆。 通常，使用=维集成（3D集成）技术制作该种多层结构（也被称为多层半导体晶 圆），该3D集成技术设及将由第二晶圆形成的至少一层转印到被称为最终衬底的第...
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