技术编号：8344730
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。关于常规的固态成像元件，重要的是减少会导致图像质量劣化的半导体基板表面上的暗电流，以及改进CCD或CMOS图像传感器中的像素晶体管的闪烁噪声或随机电报噪声的特性。暗电流的一个原因是由于在制造固态成像元件过程中来自等离子处理(CVD或干法蚀刻)的UV照射或充电的等离子损伤而导致的半导体基板的界面态(interface state)的增加。为了通过减少暗电流来改进图像传感器的像素特性，已经使用氢原子或氟原子来终止器件界面处的悬垂键(dangling bonds...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。