技术编号：8344733
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 许多集成电路设计中使用执行特定功能的各种电池。集成电路可包括逻辑器、存 储器、控制器、和其他的功能块。在半导体工艺中，通常使用CMOS工艺制造半导体集成电 路。晶体管形成在半导体衬底中，并且通常设及导致栅极W及相邻的源极和漏极的制造步 骤的序列，该源极和漏极形成在沟道中。晶体管的关键设定为阔值电压。设定阔值电压的 已知方法是将渗杂剂放置在与源极和漏极的渗杂剂相反的极性的沟道区域中。沟道渗杂的 变形包括大量地输送渗杂材料W填充沟道的容积。其他的技术包括使用...
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