技术编号:8344734
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体装置。背景技术搭载功率半导体装置、例如绝缘栅型双极晶体管(IGBT)、续流二极管(FWD)、绝缘栅型场效应晶体管(MOSFET)等器件的半导体模块装置的高耐压化正在发展。为了提高该半导体模块装置的耐压,需要提高所搭载的各个器件的耐压。一般地,在搭载于功率半导体装置的各个半导体片分别设置有活性区域,该活性区域是形成在半导体衬底的中央部的半导体功能区域。在活性区域的表面设置有与活性区域接触的金属电极。活性区域是在导通状态时流过主电流的区域。...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。