技术编号：83522
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及用于从浸没光刻曝光机具抽取多相流体的真空系统。 背景技术在半导体器件制造中光刻是非常重要的处理步骤。大体而言，在光刻处理中，将电路设计通过成像在光阻材料层(其沉积在晶片表面上)上的图案而转移至晶片。然后，在新设计转移至晶片表面之前，晶片经过各种蚀刻及沉积处理。持续循环该处理以形成半导体器件的多个层。 由通过以下瑞利(Rayleigh)公式界定的分辨率限值W来确定可利用光刻印刷的最小特征w=k1λNA---(1)]]>其中K1为分辨率系数，λ为曝光射线波长，而NA为数值...
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