技术编号：8362998
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。目前的低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板的制备正在往高分辨率，高性能方向发Mo现有的加热工艺如图1所示，基板温度由加热板直接提供，由于加热板自身密度不均或存在杂质等问题，对基板加热不均匀导致基板温度分布不均匀，从而会使得基板上成膜的厚度分布均匀性不佳，厚度分布如图2所示，表面上成膜厚度的均匀度仅能达到4.5%，会影响基板的薄膜沉积，溅射和刻蚀等工艺的均匀性。发明内容本发明所要解决的技术问题是，如何对基板进行良好的加热，以保证基板表面温度分布的均匀，进而保证沉积、...
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