技术编号:8363193
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。为了减少接触电阻,现有深亚微米B⑶工艺中纵向双极型晶体管如NPN三极管的发射极由N+上面盖金属硅化物组成,深亚微米是指0.25微米以下。如图1所示,是现有BCD工艺中纵向双极型晶体管的剖面结构图,下面以NPN三极管为例说明如下,现有BCD工艺中的NPN三极管包括P型硅衬底101,在所述P型硅衬底101中形成有N型埋层(NBL) 102和P型埋层(PBL) 103,在所述硅衬底101的表面形成有浅沟槽场氧(STI) 104,由浅沟槽场氧104隔离出有源区。由...
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