技术编号:8363214
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。现有TFT器件的有源层材料主要有三种有机材料(如并五苯)、金属氧化物(如IGZ0)、硅材料(如非晶硅、多晶硅)。这三种材料的性能都是有限的,有机材料的载流子迀移率一般都不超过IcmVVsdhaB IGZO的载流子迀移率约为3?15cm2/Vs,多晶IGZO可以达到50cm2/Vs左右,非晶硅的载流子迀移率在lcmVVs左右,多晶硅的可以达到100?200cm2/Vs,相比而下,单晶娃的载流子迀移率约为1500cm2/Vs左右,相对于其它3种材料性能提升至少...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。