技术编号:8363215
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。专利说明 本申请是申请号201380029493. 5, PCT 申请号PCT/JP2013/065743,申请日 2013. 06. 06,发明名称"薄膜晶体管"的申请的分案申请。 本发明涉及用于液晶显示器或有机EL显示器等显示装置的薄膜晶体管(TFT)。背景技术 非晶(非晶质)氧化物半导体与通用的非晶硅(a-Si)相比,具有高载流子迀移率 (也称为场效应迀移率。以下,有时仅称为"迀移率"。),光学带隙大,能够以低温成膜。因 此,期待其面向要求大型、高分...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。