技术编号:8363221
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。用于显示器面板的薄膜晶体管(TFT)器件,由于本身材料特性的缘故存在较大的关态电流,如多晶硅做为有源层,则存在于多晶硅薄膜的晶界中有大量缺陷,使晶界成为关态电流过大的主要“通道”,这严重影响TFT的使用效果。传统的用于降低关态电流的方法是采用LDD(Lightly Doped Drain)结构,但降低关态电流的同时也会导致较低的开态电流,使得在较大工作电压情况下降低关态电流的效果不佳。发明内容(一 )要解决的技术问题本发明要解决的技术问题是如何有效地降低薄...
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