技术编号：8363310
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。相变存储器(Phase-ChangeRandom Access Memory,简称PCRAM)的存储介质是以硫系化合物为基础的相变材料，其原理是利用电脉冲热量使存储介质材料在晶态(低电阻)与非晶态(高电阻)之间相互转换实现信息的写入和擦除，信息的读出依靠测量电阻的变化来实现。由于相变存储器具有读取速度快、稳定性强、功耗低、存储密度高、与传统的CMOS工艺兼容等优点，从而使信息功能材料成为研究热点。目前研究和使用较多的相变材料是Ge-Sb-Te三元合金，特别...
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